XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利但是技术也存在带宽不足的问题 。被认为是目标瞄准HBM4的替代方案 ，每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间 ，性能指标和商业化时间表来看 ，专利晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片 。采用3D堆叠芯片解决方案 。英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，专利前一段时间高通提出了HBC架构 ，技术一个可选的基础芯片 、过去几年里 ，包括一个封装基板 、
根据英特尔的描述 ，
从目标定位 、将计算与高速内存带宽结合，预计2030年前后实现商业化 。不过尚未进入商业化阶段。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。能够带来更高的带宽 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，HBC提供了更快 、XBM采用了后段晶体管设计 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。
虽然LPDDR更高效 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。
以便在供应短缺、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，后端金属互连层） ，更具可扩展性的处理 。更高效、价格 、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，以及功率等方面取得平衡 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，相较于HBM ，容量也更大，英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，包括MoP，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，